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　　7月18日消息，国家知识产权局信息显示，合肥晶合集成电路股份有限公司申请一项名为“图像传感结构、传感器及制备方法”的专利，授权公告号CN121968751B，授权公告日为2026年7月17日。申请公布号为CN121968751A，申请号为CN202610416871.4，申请公布日期为2026年7月17日，申请日期为2026年4月1日，发明人陈维邦，专利代理机构武汉科皓知识产权代理事务所（特殊普通合伙），专利代理师杨宏伟，分类号H10F39/12、H10F39/00、H10F77/14、H10F71/00。

　　专利摘要显示，本发明公开了一种图像传感结构、传感器及制备方法，属于半导体领域，本发明在衬底背面外延P型的第一半导体层，刻蚀第一凹槽后填充第一光敏层，根据需要外延缓冲层，之后继续外延P型的第二半导体层，刻蚀第二凹槽后填充第二光敏层，继续外延第三半导体层，刻蚀凹槽后填充第一光敏层，三层光敏材料层一起堆叠构成具有多量子阱的光敏区，相邻光敏区之间的P型半导体材料层形成自隔离结构，本发明巧妙的将量子阱技术和自隔离技术结合起来，意想不到的技术效果是，规避了各自缺点，发挥最大优势；通过刻蚀凹槽形状来改变光敏层形状以获得更多量子阱，通过缓冲层获得更佳隔离性能，使得本发明能够制备高灵敏度、高稳定性的图像传感器。

　　作为国内领先的12英寸晶圆代工服务商，晶合集成具备特色工艺技术壁垒，聚焦显示驱动芯片领域形成差异化竞争优势。公司成立于2015年5月19日，于2023年5月5日在上海证券交易所挂牌上市，注册地与办公地均位于安徽省合肥市。

　　晶合集成主营业务为12英寸晶圆代工业务，致力于研发并应用行业先进工艺，为客户提供多制程节点、不同工艺平台的晶圆代工服务，所属申万行业为电子-半导体-集成电路制造，同时覆盖MCU概念、集成电路、半导体产业相关概念板块。

　　2025年，晶合集成实现营业收入108.85亿元，在所属7家同赛道企业中排名第4，该赛道头部企业中芯国际、华虹宏力营收分别达673.23亿元、172.91亿元，行业平均营收为166.12亿元，公司营收与行业中位数持平；同期实现净利润4.66亿元，同样位列行业第4，头部企业中芯国际、赛微电子净利润分别为72.09亿元、13.88亿元，行业平均净利润9.67亿元，公司净利润与行业中位数持平。业务结构方面，集成电路晶圆制造代工贡献营收103.57亿元，占比95.14%，其余营收来自补充类业务及其他零散收入，占比分别为4.57%、0.29%。

• 指标类别
• 具体项目
• 数值
• 行业排名/总家数
• 行业对标头部企业数值
• 行业均值
• 行业中位数
• 营收表现2025年营业收入108.85亿元4/7中芯国际673.23亿元、华虹宏力172.91亿元166.12亿元108.85亿元
• 利润表现2025年净利润4.66亿元4/7中芯国际72.09亿元、赛微电子13.88亿元9.67亿元4.66亿元
• 业务构成集成电路晶圆制造代工103.57亿元----
• 业务构成其他(补充)4.97亿元----
• 业务构成其他3176.68万元----

　　合肥晶合集成电路股份有限公司近期专利情况如下：

• 序号
• 专利名称
• 专利类型
• 法律状态
• 申请号
• 申请日期
• 公开(公告)号
• 公开(公告)日期
• 发明人
• 1光掩模版设计图形的处理方法、处理装置及存储介质发明专利公布CN202610894083.62026-06-22CN122410885A2026-07-17殷诗淇、罗招龙、王康
• 2一种晶圆键合方法及键合晶圆发明专利公布CN202610882602.72026-06-18CN122421814A2026-07-17伍德超、郝小强、梁健、张立弟、张天阳
• 3半导体器件及其制备方法、芯片发明专利公布CN202610888879.02026-06-18CN122421383A2026-07-17宋明、郭哲劭、郭廷晃
• 4一种二极管的测量结构、测量方法及集成电路发明专利公布CN202610873754.02026-06-17CN122396281A2026-07-14张立涛、姚子凤、张倩、方昕、郑启涛
• 5一种半导体结构及其制备方法发明专利公布CN202610874647.X2026-06-17CN122396131A2026-07-14周成
• 6一种光刻胶膜层涂布情况的检测方法发明专利公布CN202610873529.72026-06-17CN122410902A2026-07-17张雅丽、赵志豪、黄玉、毛文龙
• 7半导体结构、半导体存储器及其制作方法发明专利公布CN202610874649.92026-06-17CN122421333A2026-07-17庄鹏程、宋富冉、刘乃硕
• 8半导体结构的制备方法及半导体结构发明专利公布CN202610859340.22026-06-15CN122396222A2026-07-14张会成、高志杰
• 9文本识别方法、系统及存储介质发明专利公布CN202610856457.52026-06-15CN122392084A2026-07-14杨思磊、陈云飞、李飞
• 10一种晶圆关键尺寸量测方法、系统及机台发明专利公布CN202610851078.72026-06-12CN122421738A2026-07-17余钿钿
• 11一种OPC建模方法、系统及计算机可读存储介质发明专利公布CN202610822265.22026-06-09CN122386578A2026-07-14王康
• 12晶圆的量测方法及系统发明专利公布CN202610813374.82026-06-08CN122349353A2026-07-07蒋智
• 13一种半导体结构的制造方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610795445.62026-06-04CN122318838A2026-06-30马亚强、季小龙、张正、沐凡、韩壮壮
• 14半导体制程异常处理方法、装置、设备、介质和程序产品发明专利公布CN202610795944.52026-06-04CN122333300A2026-07-03王佑祥
• 15用于光阻沉积厚度的监控晶圆、监控方法和存储介质发明专利公布CN202610796173.12026-06-04CN122396285A2026-07-14陈弋轩
• 16缺陷分类模型的建立方法以及缺陷分类方法发明专利公布CN202610789298.12026-06-03CN122336446A2026-07-03李璐、张利强、杜悦珲、鄢志忠、李佛富、林今焕
• 17一种SRAM最小工作电压的量测方法发明专利公布CN202610788371.32026-06-03CN122337290A2026-07-03沈洁、田志锋、刘波
• 18半导体结构及其制备方法、半导体器件发明专利公布CN202610778881.22026-06-02CN122340888A2026-07-03张盖、南子昱、王雪
• 19干法刻蚀系统、干法刻蚀方法以及半导体结构的制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610757823.12026-05-29CN122314744A2026-06-30李文超、刘然、罗成、杨智强
• 20MOM电容结构的SPICE模型的建立方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610759023.32026-05-29CN122311103A2026-06-30胡杰、张良宵、王晓辉、沈浩然
• 21半导体结构及其制作方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610761688.82026-05-29CN122318267A2026-06-30张德培、周宁宁、王梦慧
• 22晶圆清洗方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610747037.32026-05-28CN122270072A2026-06-23刘苏涛、曹平
• 23半导体工厂作业场景的安全预警方法、装置和设备发明专利实质审查的生效、公布CN202610740384.32026-05-27CN122265950A2026-06-23毛周亮、徐旻芮、夏慧、颜传奇、黄世豪
• 24栅极介质层的制备方法和半导体结构发明专利实质审查的生效、公布CN202610741566.22026-05-27CN122269774A2026-06-23周亚龙、朱海龙、晏荣伟、李嘉伦、罗承先
• 25一种半导体结构的制备方法发明专利公布CN202610729686.02026-05-26CN122341196A2026-07-03李文超、杨智强、林子荏、张旭
• 26半导体器件的外延层结构形成方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610719734.82026-05-25CN122248783A2026-06-19谢斌根、董宗谕
• 27安全工作区量测方法、电子设备和可读存储介质发明专利实质审查的生效、公布CN202610705221.12026-05-21CN122238814A2026-06-19刘家昌、陈帅、程文祥、汪小小
• 28图像传感器及其制作方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610702601.X2026-05-21CN122248817A2026-06-19张鹏鹏、贾涛
• 29接触孔缺陷检测方法、装置、设备、介质和程序产品发明专利实质审查的生效、公布CN202610694586.92026-05-20CN122218003A2026-06-16李璐、张利强、杜悦珲、鄢志忠、李佛富、林今焕
• 30半导体缺陷智能分析方法及装置发明专利实质审查的生效、公布CN202610693288.82026-05-20CN122244026A2026-06-19杜悦珲、张利强、李璐、鄢志忠、李佛富、林今焕
• 31半导体结构及其制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610695713.72026-05-20CN122318270A2026-06-30魏巍、任大雅、李猛猛、唐鹏飞
• 32一种半导体设备的参数化单元的选项的自动生成方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610685344.32026-05-19CN122221790A2026-06-16前田圭司、伊藤真浩
• 33集成功率器件及其制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610685210.12026-05-19CN122248782A2026-06-19周宁宁、王梦慧、陈信全
• 34一种半导体器件及其制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610677493.52026-05-18CN122227654A2026-06-16姜恒、李毅、施平
• 35检索模型的训练方法、检索方法和电子设备发明专利实质审查的生效、公布CN202610674244.02026-05-15CN122198022A2026-06-12张潇、郭雅静、萧礼明、张贺、蒋治纬
• 36LDMOS器件的阈值电压的APC方法、系统、介质及产品发明专利实质审查的生效、公布CN202610667846.32026-05-15CN122205903A2026-06-12陈晓妍、王梦慧
• 37一种反应腔室的漏率监测方法、装置及半导体工艺设备发明专利实质审查的生效、公布CN202610667786.52026-05-15CN122217543A2026-06-16王昆、周俊、刘志强、徐阳
• 38一种半导体器件及其制作方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610660032.72026-05-14CN122205918A2026-06-12韩小虎、邓少鹏
• 39半导体版图结构及双栅氧化层制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610663071.22026-05-14CN122205953A2026-06-12徐锐、宋聪强
• 40一种半导体器件及其制作方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610659999.32026-05-14CN122205917A2026-06-12韩小虎、邓少鹏
• 41芯片布局模型的训练方法、芯片布局方法及相关装置发明专利实质审查的生效、公布CN202610646614.X2026-05-12CN122174775A2026-06-09郭雅静、张潇、齐天翔、萧礼明、蒋治纬
• 42半导体结构及制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610644817.52026-05-12CN122180135A2026-06-09巫振伟、汪雪春
• 43一种半导体器件的测试方法及测试装置发明专利实质审查的生效、公布CN202610644841.92026-05-12CN122193862A2026-06-12刘至宜、汪小小、陈帅、张慧玲
• 44光阻层的形成方法及半导体结构发明专利实质审查的生效、公布CN202610637283.32026-05-11CN122161422A2026-06-05赵志豪、李海峰、沈俊明
• 45半导体结构、栅极结构的制备方法及降低缺陷的方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610627967.52026-05-09CN122180129A2026-06-09张鑫、周晓慧、马亚强、陈学刚
• 46半导体结构及制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610602466.12026-05-06CN122138409A2026-06-02胡文婷、许春龙、陈婉露
• 47用于工艺监测的关键尺寸条形结构及关键尺寸监测方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610605065.12026-05-06CN122138671A2026-06-02黄周远、许春龙、孟娟
• 48OPC模型的校正方法、系统及计算机可读存储介质发明专利实质审查的生效、公布CN202610590152.42026-04-30CN122113466A2026-05-29王康、罗招龙
• 49一种光刻套刻误差的补偿方法、系统和设备发明专利实质审查的生效、公布CN202610588770.52026-04-30CN122110631A2026-05-29何赵鑫、黄胜
• 50深通孔制备方法及背照式图像传感器的制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610578907.92026-04-29CN122121294A2026-05-29郇小伟、金文祥、褚冉